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2N7002E-T1-GE3  与  BSS138N E8004  区别

型号 2N7002E-T1-GE3 BSS138N E8004
唯样编号 A36-2N7002E-T1-GE3 A-BSS138N E8004
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 2N7002E Series N-Channel 60 V 3 Ohm 0.35 W Surface Mount Mosfet - SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3 Ohms @ 250mA,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 41pF @ 25V
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 240mA(Ta) -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.4nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.5 欧姆 @ 230mA,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 230mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 23,775 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5915
200+ :  ¥0.3822
1,500+ :  ¥0.3315
3,000+ :  ¥0.2938
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002E-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

240mA(Ta) N-Channel 3 Ohms @ 250mA,10V 350mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 60V

¥0.5915 

阶梯数 价格
90: ¥0.5915
200: ¥0.3822
1,500: ¥0.3315
3,000: ¥0.2938
23,775 当前型号
BSN20BKR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSN20BK_SOT23 N-Channel 0.31W 150℃ 20V,1V 60V 0.265A

¥0.3406 

阶梯数 价格
150: ¥0.3406
200: ¥0.252
1,500: ¥0.2205
2,595 对比
DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 370mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 310mA(Ta) 车规

¥0.3705 

阶梯数 价格
140: ¥0.3705
200: ¥0.2745
519 对比
RK7002BT116 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 SST3

暂无价格 0 对比
BSN20BKR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSN20BK_SOT23 N-Channel 0.31W 150℃ 20V,1V 60V 0.265A

¥0.3393 

阶梯数 价格
570: ¥0.3393
1,000: ¥0.263
1,500: ¥0.2156
3,000: ¥0.1908
0 对比
BSS138N E8004 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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